Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB180P04P403ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB180P04P403
IPB180P04P403ATMA1 Hakkında
IPB180P04P403ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 2.8mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahip olan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, batarya yönetim sistemleri, motor kontrolü ve güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu MOSFET, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 150W güç dağıtabilir. Yüksek akım uygulamalarında verimli anahtarlama sağlayan bu transistör, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17640 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok