Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB180N06S4H1ATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB180N06S4H1
IPB180N06S4H1ATMA1 Hakkında
IPB180N06S4H1ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.7mΩ (100A, 10V şartlarında) son derece düşük on-resistance değerine sahiptir. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüler, güç dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 250W maksimum güç dağılımı kapasitesi endüstriyel uygulamalar için uygun özellikleri sunmaktadır. Ürün Digi-Key'de kullanımdan kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok