Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB180N04S4H0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB180N04S4H0ATMA1
IPB180N04S4H0ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB180N04S4H0ATMA1, 40V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 180A sürekli drain akımı ve 1.1mΩ tipik gate-source direnç (Rds On) ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-263-7 D²Pak paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve diğer yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 250W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 225 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17940 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok