Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB180N04S302ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB180N04S302ATMA1
IPB180N04S302ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies IPB180N04S302ATMA1, 40V Drain-Source gerilimi ile çalışan N-Channel Power MOSFET'tir. 180A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 1.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile tasarlanan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç dağıtım sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ürün, 300W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Düşük gate charge (210nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar. Not olarak, bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 230µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok