Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB180N03S4L01ATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB180N03S4L01
IPB180N03S4L01ATMA1 Hakkında
IPB180N03S4L01ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 180A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 1.05mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Motorlar, güç kaynakları, invertörler ve LED sürücüleri gibi yüksek akım uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarına uygun performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 239 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok