Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB160N08S403ATMA1
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB160N08S403
IPB160N08S403ATMA1 Hakkında
IPB160N08S403ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 80V/160A kapasiteli N-Channel Power MOSFET'tir. TO-263-7 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (3.2mΩ @ 100A, 10V) ile yüksek akım uygulamalarında verimli çalışır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 208W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç dönüştürme, motor sürücü, enerji yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 112nC gate charge ve 7750pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 112 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok