Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB160N04S4H1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB160N04S4H1
IPB160N04S4H1ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB160N04S4H1ATMA1, N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 160A sürekli akım kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) yüzey montaj paketinde gelen bu transistör, 1.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge 137nC, giriş kapasitanası 10920pF olarak belirtilmiştir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, elektrikli araç uygulamaları ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10920 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok