Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB160N04S2L03ATMA2
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB160N04S2L03
IPB160N04S2L03ATMA2 Hakkında
IPB160N04S2L03ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilim kapasitesi ile 160A sürekli drenaj akımını kaldırabilen bu bileşen, düşük on-state direnci (2.7mΩ @ 80A, 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında ısıl kaybı minimize eder. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konvertörler ve endüstriyel sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, yüksek akım taşıyabilme kapasitesi ile kompakt tasarımlarda tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok