Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB160N04S203ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB160N04S203
IPB160N04S203ATMA1 Hakkında
IPB160N04S203ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 160A sürekli drenaj akımı (Id) ile yüksek akım uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 2.9mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-7 (D²Pak) yüzey montajlı paket kullanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolü ve enerji dönüştürücülerde tercih edilir. 300W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Gate şarj (Qg) değeri 170nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok