Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPB14N03LAT

MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IPB14N03L

IPB14N03LAT Hakkında

IPB14N03LAT, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltaj ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (13.6mΩ @ 30A, 10V) ile verimli enerji dağılımı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 8.3nC gate charge özelliği ile hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve LED sürücüsü gibi uygulamalarda kullanılır. Componentin üretimi Digi-Key tarafından durdurulmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1043 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.6mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok