Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB14N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB14N03LA
IPB14N03LA G Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB14N03LA G, 25V drain-source voltajında 30A sürekli dren akımı sağlayan N-channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (13.6 mΩ @ 30A, 10V) ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Hızlı kapanma özelliği ve düşük gate charge karakteristiği ile sürücü devreleri üzerindeki yükü minimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1043 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok