Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPB14N03LA

MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IPB14N03LA

IPB14N03LA Hakkında

IPB14N03LA, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajında 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketlemesiyle kompakt tasarımlar için uygundur. 13.6mΩ'luk düşük on-resistance değeri ile güç kayıplarını minimize eder. Gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama uygulamalarında verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, güç elektronikleri, motor kontrol, LED sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 46W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1043 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.6mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok