Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPB136N08N3 G

MOSFET N-CH 80V 45A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IPB136N08N3

IPB136N08N3 G Hakkında

IPB136N08N3 G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj ve 45A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 13.6mΩ on-state direnci, 25nC gate charge ve 1730pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Lütfen dikkat: bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1730 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.6mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 33µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok