Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB12CNE8N
IPB12CNE8N G Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB12CNE8N G, 85V drain-source gerilimi ve 67A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu transistör, 12.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bileşen, 125W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 64nC gate charge ve 4340pF input capacitance özellikleriyle hızlı ve verimli anahtarlama performansı sunar. Güç kaynakları, motor kontrol, endüstriyel sürücü uygulamaları ve yüksek akımlı anahtar devreleri gibi alanlarda kullanılır. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 67A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 85 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4340 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.9mOhm @ 67A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok