Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB12CN10N
IPB12CN10N G Hakkında
IPB12CN10N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 67A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 12.6mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 65nC, threshold gerilimi 4V'tur. -55°C ile +175°C arasında çalışır ve maksimum 125W güç harcayabilir. ±20V gate gerilimi toleransı ile çalışan bu transistör, güç yönetimi, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Bileşen artık üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 67A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4320 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6mOhm @ 67A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok