Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB123N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB123N10N3
IPB123N10N3GATMA1 Hakkında
IPB123N10N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilimi ve 58A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu transistör, 12.3mΩ maksimum on-direnci ve 35nC gate şarjı ile switching hızlı güç dönüştürme devrelerinde tercih edilir. İnverter, motor sürücü, DC-DC konvertör ve güç yönetim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 94W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 46A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok