Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB120P04P4L03ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB120P04P4L03
IPB120P04P4L03ATMA1 Hakkında
IPB120P04P4L03ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj, 120A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 3.1mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. D2PAK (TO-263-3) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor sürücülerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Maksimum 136W güç harcaması tolerans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 234 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 340µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok