Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB120N10S405ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB120N10S405AT
IPB120N10S405ATMA1 Hakkında
IPB120N10S405ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate yükü 91nC ve giriş kapasitansi 6540pF'dir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) kullanılabilen bu transistör, güç kaynakları, motor denetleyicileri, DC-DC dönüştürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 120µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok