Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB120N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB120N10S403ATMA1
IPB120N10S403ATMA1 Hakkında
IPB120N10S403ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 3.5mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paket formatında sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 250W güç dağılması kapasitesine sahiptir. Motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları, enerji dönüşüm sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V gate gerilimi ile uyumlu tasarımı, kontrol devrelerinin entegrasyonunu kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10120 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok