Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB120N08S403ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB120N08S403
IPB120N08S403ATMA1 Hakkında
IPB120N08S403ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilim ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.5mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, dc-dc dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 167nC gate charge ve 10V drive voltage ile kontrol devrelerinde kolay entegrasyonu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 223µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok