Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB120N06S4H1ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB120N06S4H1
IPB120N06S4H1ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB120N06S4H1ATMA1, N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 120A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 2.1mΩ maksimum gate-source direnci ile düşük güç kayıpları sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç dönüştürücüleri ve SMPS uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, 250W maksimum güç tüketiminde çalışabilir. 10V gate drive voltajında optimize edilmiş özellikleri bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok