Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB120N06S403ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB120N06S403
IPB120N06S403ATMA2 Hakkında
IPB120N06S403ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj desteği ve 120A sürekli dren akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 3.2mΩ on-resistance değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 167W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 120µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok