Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB120N06S402ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB120N06S402ATMA2
IPB120N06S402ATMA2 Hakkında
IPB120N06S402ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 2.8mΩ @ 100A, 10V maksimum Rds(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerinde ve motorlu sistemlerde yaygın olarak tercih edilir. ±20V Vgs toleransı ve -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok