Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB120N06N G
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB120N06N
IPB120N06N G Hakkında
IPB120N06N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 75A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 11.7mOhm RDS(on) ile düşük direnç sağlayarak enerji tasarrufu sunar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket tipinde sunulur. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynağı devreleri gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Maksimum 158W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Gate şarjı 62nC (Qg @ 10V) ile hızlı anahtarlamaya olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 158W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 94µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok