Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB120N04S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB120N04S4L02
IPB120N04S4L02ATMA1 Hakkında
IPB120N04S4L02ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajı ve 120A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 1.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulur. Motor sürücüleri, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 158W maksimum güç tüketebilir. 190nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özellikleri mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14560 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 158W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok