Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB120N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB120N04S402
IPB120N04S402ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB120N04S402ATMA1, 40V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı pakete sahip bu bileşen, 1.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış direncine sahiptir. Gate şarj miktarı 134nC ve input kapasitanı 10740pF'dir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, değiştirici (switching) uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 158W güç disipasyonu ile yüksek akım uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 134 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10740 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 158W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok