Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB120N04S3-02
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB120N04S3
IPB120N04S3-02 Hakkında
IPB120N04S3-02, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek akımlu uygulamalarında kullanılır. 2mΩ maksimum Rds(On) değeri ile enerji verimliliği sağlar. Surface mount D²Pak (TO-263-3) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 300W güç dağıtımına kapadir. 10V drive voltajında 210nC gate charge karakteristiğiyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Endüstriyel ve otoomotiv elektronik uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 230µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok