Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB11N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB11N03LA
IPB11N03LA G Hakkında
IPB11N03LA G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 30A sürekli akım kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 11.2mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 52W güç yayabilir. 11nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1358 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok