Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB117N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB117N20NFD
IPB117N20NFDATMA1 Hakkında
IPB117N20NFDATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 200V N-Channel MOSFET transistördür. 84A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 11.7mOhm on-direnç (RDS(on)) değerleri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, invertörler ve anahtarlamalı güç elektronikleri uygulamalarında tercih edilir. 300W güç dağıtım kapasitesi sayesinde yüksek yük koşullarında güvenilir performans sağlar. 87nC gate charge ve 10V drive voltage ile modern anahtarlama devrelerinde entegrasyon kolaylığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 84A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6650 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 84A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok