Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB110P06LMATMA1
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB110P06L
IPB110P06LMATMA1 Hakkında
IPB110P06LMATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 100A sürekli akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 11mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, DC/DC konvertörleri, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve ters polarite koruması gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, 300W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 281 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8500 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 5.55mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok