Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB110N20N3
IPB110N20N3LFATMA1 Hakkında
IPB110N20N3LFATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 88A sürekli akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 11mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliğine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel motor kontrolü, güç kaynakları, invertör devreleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 250W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 88A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 88A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.2V @ 260µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok