Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB110N06L G
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB110N06L
IPB110N06L G Hakkında
IPB110N06L G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 78A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 11mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüleri ve motorlu uygulamalar gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında yer alır. 79nC gate charge ve 2700pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon işlemlerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 78A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 78A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 94µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok