Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB10N03LB
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB10N03LB
IPB10N03LB Hakkında
IPB10N03LB, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paket tipinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (9.6mΩ @ 50A, 10V) sayesinde enerji tasarrufu sağlar. Motor sürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate gerilim aralığında çalışan transistör, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Hızlı anahtarlamaya olanak tanıyan 13nC gate charge değeri ve yüksek gümrük kapasitesi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1639 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok