Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB108N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB108N15N3G
IPB108N15N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB108N15N3GATMA1, 150V drain-source gerilimi ve 83A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı paketlemede sunulan bu transistör, 10.8mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 214W maksimum güç tüketimi özelliğine sahip olan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Gate charge karakteristiği 55nC ve input kapasitanı 3230pF olan bu MOSFET, güç dönüştürme, motor kontrol, LED sürücüsü ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V gate-source gerilimi toleransı ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 83A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3230 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8mOhm @ 83A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 160µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok