Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB100N12S305ATMA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB100N12S305ATMA1
IPB100N12S305ATMA1 Hakkında
IPB100N12S305ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 5.1mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayarak enerji verimliliği yüksektir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Motor kontrol, güç kaynakları, ışık denetim devreleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 175°C) ve 300W maksimum güç tüketim kapasitesi sayesinde zorlu ortam koşullarında güvenilir çalışma sunar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 185 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok