Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB100N10S305ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB100N10S305ATMA1
IPB100N10S305ATMA1 Hakkında
IPB100N10S305ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 100A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 4.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp ve verimli anahtarlama sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V gate gerilimi aralığı ve -55°C ile 175°C işletme sıcaklığı aralığı geniş uygulama yelpazesi sağlar. 300W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ağır iş yükleri kaldırabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 176 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok