Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB100N06S3L-04
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB100N06S3L
IPB100N06S3L-04 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB100N06S3L-04, 55V drain-source gerilim dayanımına ve 100A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 3.5mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlayarak, motor kontrol, güç dönüştürücü, DC-DC konvertör ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yer alır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 10V gate geriliminde 362nC gate charge ve 17270pF input capacitance değerleriyle karakterize edilmiştir. Surface mount tipi montaj için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 362 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17270 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok