Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB100N06S205ATMA4
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB100N06S205AT
IPB100N06S205ATMA4 Hakkında
IPB100N06S205ATMA4, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V dren-kaynak voltajı (Vdss) ve 100A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 4.7mΩ maksimum kanal direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde yer alan bu bileşen, 300W güç dağıtabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır. 170nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, yüksek akım anahtarlama uygulamaları, enerji yönetimi sistemleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5110 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok