Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB100N04S303ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB100N04S303
IPB100N04S303ATMA1 Hakkında
IPB100N04S303ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 100A sürekli drenaj akımı sağlama kapasitesine sahiptir. 2.5mΩ tipik on-direnç değeri ile enerji verimliliğine katkı sunar. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve maksimum 214W güç dağıtımında kullanılabilir. Gate-source gerilimi ±20V aralığındadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok