Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB100N04S2-04
IPB100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB100N04
IPB100N04S2-04 Hakkında
IPB100N04S2-04, Rochester Electronics tarafından üretilen 40V N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paket tipinde surface mount olarak tasarlanmıştır. 100A sürekli dren akımı kapasitesi ve 3.3mOhm maksimum on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. 300W güç tüketim kapasitesi, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 20V gate-source voltaj toleransı ile endüstriyel ve otomotiv anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 172 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok