Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB09N03LA
IPB09N03LA G Hakkında
IPB09N03LA G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source gerilim ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulmaktadır. 8.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Güç anahtarlama uygulamalarında, motor sürücü devrelerinde, doğrultma devrelerinde ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 13nC maksimum gate charge ve 1642pF input capacitance ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1642 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok