Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB09N03LA
IPB09N03LA Hakkında
IPB09N03LA, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 50A sürekli dren akımı ile tasarlanan bu bileşen, düşük on-dirençi (8.9mΩ @ 30A, 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışma sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan IPB09N03LA, güç yönetimi, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve enerji verimliliği gerektiren anahtarlama devreleri için kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Düşük kapasite ve gate yükü değerleriyle hızlı komütasyon özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1642 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok