Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB097N08N3G
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB097N08N3
IPB097N08N3G Hakkında
IPB097N08N3G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 80V drain-source voltaj ve 70A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 9.7mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 35nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 100W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 46A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok