Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB093N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB093N04LG
IPB093N04LGATMA1 Hakkında
IPB093N04LGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilim ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 9.3mΩ (10V, 50A'da) düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket tipinde sunulan bu bileşen, motorlar, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve ağır akım uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C geniş çalışma sıcaklık aralığında ve 28nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. Parça üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 16µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok