Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB090N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB090N06N3
IPB090N06N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB090N06N3GATMA1, 60V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET transistörüdür. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, güç anahtarlaması ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 71W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda yer alabilir. 4V gate threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. Motor sürücüleri, güç yönetimi sistemleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 34µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok