Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB08CN10N G
MOSFET N-CH 100V 95A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB08CN10N
IPB08CN10N G Hakkında
IPB08CN10N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 95A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 8.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve DC-DC konverterlerde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 167W güç dağıtabilir. 10V drive voltajında optimize edilmiş tasarımı hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 95A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6660 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 95A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok