Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB085N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB085N06L
IPB085N06L G Hakkında
IPB085N06L G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (8.2mΩ @ 80A, 10V) sayesinde ısıl kaybı minimize eder. Gate charge karakteristiği 104nC (@10V) ile hızlı anahtarlama sağlar. Endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve power management sistemlerinde uygulanır. Bileşen üretimi sonlandırılmış (Obsolete) olduğundan, yeni tasarımlarda alternatif modellerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 125µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok