Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB083N15N5
IPB083N15N5LFATMA1 Hakkında
IPB083N15N5LFATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source voltaj ile 105A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8.3mOhm (@ 100A, 10V) son derece düşük RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey monte paketlemesi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 105A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 134µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok