Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB080N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB080N03LG
IPB080N03LGATMA1 Hakkında
IPB080N03LGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. D²Pak (TO-263-3) yüzeye monte paketine sahiptir. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç anahtarlaması ve enerji yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Hızlı anahtarlama hızı ve düşük geçiş kapasitesi ile verimli devre tasarımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok