Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB075N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB075N04LG
IPB075N04LGATMA1 Hakkında
IPB075N04LGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 7.5mOhm maksimum On-State direnç değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paket içinde gelmektedir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 56W güç dağıtabilir. Gate kapasitesi 2800pF, gate eşik gerilimi ±20V tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok